장비소개
공통 PHOTO Maskless lithography system (01)
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- 제작회사
- NANO SYSTEM SOLUTION
- Model 번호
- DL-1000 HP
- 장비기능
- Mask 없이도 GDS File 만으로 패턴을 구현할수 있는 장비이며, Auto/Manual로 Alignment를 진행 할 수 있음.
Laser diode의10W의 높은 출력으로 빠른 패턴 가능.
주요사항
Hard ware
* Light Source
· LD (Laser Diode) / Wave length : 405nm / Output Power : 10W
* Printing
· Principle of the exposure : Mirror projection exposure using DMD
· Minimum~Maximum exposure area : 1㎜×1㎜ ~ 200×200㎜
· Minimum~Maximum Substrate loading
· Size : 5㎜×5㎜~225×225㎜
· Minimum Pattern size ( Line and space ) 0.5um 1:1
· Exposure Time : 10㎜×10㎜ ( 0.5 L/S 1:1 full ) ≦ 5min
100㎜×100㎜ ( 0.5 L/S 1:1 full ) ≦ 1hr
150㎜×150㎜ ( 0.5 L/S 1:1 full ) ≦ 3hr
· Alignment : Auto / Manual ( Coaxial Pattern Observation )
· Overlay accuracy : Within ± 0.2um
· Data generation / transformation : Step & Repeat : DXF → GDSⅡ → BMP
Scanning : Direct conversion from GDSⅡ
· Mask 없이 웨이퍼에 0.5um 미세선폭 구현이 가능. (PR 및 기판에 따라 다를 수 있음)
· 최대 7“ Mask 제작도 가능.
Process Recipes
* CMOS, CMOS 이외 모든 공정을 위한 장비 : CHUCK으로 구분
* 공정에 대한 전반 사항에 대하여 장비 담당자와 사전 협의 필수.
* 사용 PR과 웨이퍼 상태에 따라 공정결과가 다름.
Resolution
웨이퍼
| 구분 | Silicon | SOI | Glass | Compound | Quartz | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 크기/재질 | 조각 | O | O | O | O | O |
| 4 | O | O | O | O | O | |
| 6 | O | O | O | O | O | |
| 비고 |
두께 가용 범위 : 200 ㎛ ~ 3 ㎜ |
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장비사용가능자
장비사용 교육 후 사용 가능(직접 공정)
특이사항
매뉴얼:마스크리스 매뉴얼 (1).pdf
장비담당자
- 김거용 : 02-880-5260 (kggk238@snu.ac.kr)
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