장비소개
공통 PHOTO E-Beam Lithography
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- 제작회사
- JEOL
- Model 번호
- JBX-6300FS
- 장비기능
- Emitter tip에서 나오는 전자들을 Electrostatic lens에서 집속하고 Electro-static deflector를 이용하여 원하는 위치에
Beam을 Writing하여 Pattern을 형성한다. JBX-6300FS 장비는 높은 가속전압을 갖는 E-Beam을 이용한 lithography
시스템으로 가속전압은 100keV 이며, 높은 가속전압을 이용하기 때문에 Proximity effect를 최소화 하고 미세 Pattern 형성이
가능 하다는 장점을 지니고 있다. 현재는 Direction writing 전용장비로 사용되고 있다. - NFEC 번호
- NFEC-2008-04-053088
주요사항
Hard ware
* System
· Accelerating voltage : 100eV
· Beam shape : Gaussian Beam
· Min. beam dia. : 2.2mm
· Min. line dia. : 8nm
· Overay accuracy : 10.32nm
· Stitching accuracy : 16.7nm
· Probe current : 100 pA~10 nA
· Gun type : Thermal field emitter
· Working field : 500 um X 500 um
· Aperture : 60 um(10 nA)
· Substrate : Si and III/V materials(시편, 4",6")
* Uniformity
· Line-width uniformity within a filed : Acc(100kV), Substrate(4inch Wafer), Standard(30%p-p), Results(7.34%)
· Line-width uniformity within a wafer : Acc(100kV), Substrate(4inch Wafer), Standard(30%p-p), Results(4.85%)
Process Recipes
* Metal 박막 위에 공정진행 불가. (단, 시편은 상관없음)
* User dependent 사항이 많아 교육 후 user 직접 사용 권유. (single layer 제외)
* 가속전압 Only 100keV
* Layout : 의뢰자가 직접 Design 하며, GDS File 형식만 사용가능.
* Resolution Guarantee 범위 : L/S 30nm
Resolution
* Sample Size : 1.5cm~3.5cm
웨이퍼
| 구분 | Silicon | SOI | Glass | Compound | Quartz | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 크기/재질 | 조각 | O | O | O | O | O |
| 4 | O | O | O | O | O | |
| 6 | O | O | O | O | O | |
| 비고 | ||||||
특이사항
매뉴얼:e-beam메뉴얼(SMDL2021_new).pdf
장비담당자
- 불용담당자 : 02-880-8826 (jjwkkwmi@snu.ac.kr)
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