장비소개
공통 PHOTO E-Beam Lithography
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- 제작회사
- JEOL
- Model 번호
- JBX-6300FS
- 장비기능
- Emitter tip에서 나오는 전자들을 Electrostatic lens에서 집속하고 Electro-static deflector를 이용하여 원하는 위치에
Beam을 Writing하여 Pattern을 형성한다. JBX-6300FS 장비는 높은 가속전압을 갖는 E-Beam을 이용한 lithography
시스템으로 가속전압은 100keV 이며, 높은 가속전압을 이용하기 때문에 Proximity effect를 최소화 하고 미세 Pattern 형성이
가능 하다는 장점을 지니고 있다. 현재는 Direction writing 전용장비로 사용되고 있다.
주요사항
Hard ware
* System
· Accelerating voltage : 100eV
· Beam shape : Gaussian Beam
· Min. beam dia. : 2.2mm
· Min. line dia. : 8nm
· Overay accuracy : 10.32nm
· Stitching accuracy : 16.7nm
· Probe current : 100 pA~10 nA
· Gun type : Thermal field emitter
· Working field : 500 um X 500 um
· Aperture : 60 um(10 nA)
· Substrate : Si and III/V materials(시편, 4",6")
* Uniformity
· Line-width uniformity within a filed : Acc(100kV), Substrate(4inch Wafer), Standard(30%p-p), Results(7.34%)
· Line-width uniformity within a wafer : Acc(100kV), Substrate(4inch Wafer), Standard(30%p-p), Results(4.85%)
Process Recipes
* Metal 박막 위에 공정진행 불가. (단, 시편은 상관없음)
* User dependent 사항이 많아 교육 후 user 직접 사용 권유. (single layer 제외)
* 가속전압 Only 100keV
* Layout : 의뢰자가 직접 Design 하며, GDS File 형식만 사용가능.
* Resolution Guarantee 범위 : L/S 30nm
Resolution
* Sample Size : 1.5cm~3.5cm
웨이퍼
| 구분 | Silicon | SOI | Glass | Compound | Quartz | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 크기/재질 | 조각 | O | O | O | O | O |
| 4 | O | O | O | O | O | |
| 6 | O | O | O | O | O | |
| 비고 | ||||||
특이사항
매뉴얼:e-beam메뉴얼(SMDL2021_new).pdf
장비담당자
- 지상엽 : 02-880-8826 (syj@snu.ac.kr)
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